北京中科优唯科技有限公司是在中科院半导体所高温氮化物MOCVD装备研发技术成果上、由项目技术团队及管理团队于2015年2月组建的一家企业。MOCVD（Metal-Organic ChemicalVapor Deposition）--即有机金属化学汽相淀积--是制备化合物半导体薄片单晶的一项新技术，已经成为砷化镓、磷化铟等光电子材料外延片制备的核心生长技术并得到广泛应用（如发光二极管、激光器、太阳能电池、光电阴极等），是光电子等产业不可缺少的设备，几乎全世界所有光电器件厂家都采用MOCVD外延技术来制作光电器件。迄今为止，MOCVD是包括Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅳ族化合物半导体和Ⅲ族氮化物半导体的高质量器件多层结构生长的灵活、费用低、效率高的技术。从技术角度而言，LED波长越短，制备难度越大，但同时产业附加值也越高。相比蓝绿光LED而言，紫外LED波长更短，因此其制备的难度更大，紫外LED的主要技术难度体现在核心材料制备方面，目前世界上也仅有美国、日本、中国等少数国家掌握了深紫外LED的核心材料和器件制备技术。紫外及深紫外氮化物外延生长是半导体材料生长领域的一项重大课题。虽然市场上对紫外GaN外延及芯片的需求十分迫切，但由于紫外氮化物外延材料的生长难度大、生长周期长、成本高等方面原因，市场上一直没有可以批量生产紫外GaN外延材料的生长设备，致使紫外GaN光源及功率器件的应用没有得到很好的发展。作为国内早开展氮化物MOCVD外延生长的研究机构，中科院半导体所长期承担国家863项目，持续深入开展紫外LED的关键技术研究，突破了紫外LED的核心材料和器件制备技术，开发出250-400nm波段的紫外LED，尤其掌握波长300nm以下的深紫外LED关键技术，采用自制的高温单片MOCVD装置研制出国内首支毫瓦级深紫外LED管芯，核心材料外延技术接近国际水平。当前公司专注研发出的专门用于深紫外LED的7片机和48片机型，生长温度高达1400℃以上，加热丝寿命长；生长压力30torr到常压连续可调；均匀性优于1%，有限元仿真模拟热场、流场可满足客户需求。开发出的AlN缓冲层的生长工艺，生长速率为1um/h时，XRD摇摆曲线半高宽，（002）低达到30弧秒，（102）小于500弧秒。初步制作的280nm附近深紫外LED已实现电注入发光，发光功率大于1mw。有望实现批量设备上280nm以下深紫外LED的材料生长，并结合器件工艺实现规模化深紫外LED的技术突破，为深紫外LED降低成本，规模应用解决生产设备和成套工艺的技术瓶颈。