无锡维赛半导体有限公司是由在大功率半导体器件领域享有国际盛誉的海外华人与国内成功上市公司、实力雄厚的风投公司共同出资组建的中外合资企业。公司总部位于无锡新区“国家集成电路设计园”，注册资金6000万元人民币。

公司另在美国设立研发，并与美国著名大学“功率半导体、汽车电子、绿色及可再生能源”紧密合作进行新产品研发。公司国内的研发团队是由一批在国际著名功率半导体公司工作多年，具有丰富产品设计、生产经验的工程师及组成，掌握了世界的产品研发与生产技术。

公司经营范围为大功率半导体功率器件与集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销，是一家专业的大功率半导体器件与集成电路设计与生产服务供应商。公司开发和生产的主导产品为大功率半导体功率器件和功率集成电路：高低压MOSFET芯片及模块、 第五代大功率IGBT（600V—6500V）芯片及模块、光控大功率发射级关断晶闸管（ETO，4500V/4000A）、基于NEXTBCD技术的集成电路，产品将广泛应用于节能、绿色照明、风力发电、智能电网、混合动力/电动汽车、仪器仪表、消费电子等领域。公司将秉承“用我们的努力和出色的产品服务客户，造福社会”的企业宗旨，将水平的技术与中国市场相结合，为客户提供高性价比的产品与的服务。

2012年10月，公司位于浙江的封装基地已正式投产，标志着公司发展迈上了新的台阶。