作为半导体器件的硅材料“统治”半导体器件已50年有余，硅性能潜力的进一步挖掘是有难度的。有关半导体器件材料的研究从70年开始，特别是80～90年代以来，砷化镓（GaAs）、半导体金刚石、碳化硅（SiC）的研究始终在进行着。进入90年代以后，对碳化硅的研究达到了热点。实验表明，应用SiC的半导体器件其导通电阻只有Si器件的1/200；如电压较高的硅功率MOSFET，导通压降达3～4V，而SiC功率MOSFET，导通压降小于1V，而关断时间小于10ns。实验表明，电压达300V的SiC肖特基二极管（另一电极用金、钯、钛、钴均可），反向漏电流小于0.1mA/mm，而反向恢复时间几乎为零。
一段时间曾认为砷化镓很有希望取代硅半导体材料。现在实验表明，碳化硅材料性能更优越。SiC的研究所以滞后于GaAs，主要原因是SiC晶体的制造难度太大，当温度大于2000℃时，SiC尚未熔化，但到了2400℃时SiC已升华变成气体了。现在是利用升华法直接从气体状态生长晶体，目前的问题是要进一步改善SiC表面与金属的接触特性和进一步完善SiC的制造工艺，这些问题预计在5～10年内得到解决。当应用SiC制造的半导体器件得到广泛应用时，对电力电子技术的影响将会是革命性的。变压器是电力电子产品或开关电源中重要的必不可少的部件，平面变压器是近两年才面世的一种全新产品。与常规变压器不同，平面变压器没有铜导线，代之以单层或多层印刷电路板，因而厚度远低于常规变压器，能够直接制作在印刷电路板上。其突出优点是能量密度高，因而体积大大缩小，相当于常规变压器的20%；效率高，通常为97%～99%；工作频率高，从50kHz到2MHz；低漏感（小于0.2%）；低电磁干扰（EMI）等。
变压器是应用电能→机械能→电能的一种新型变压器，它是利用压电陶瓷电致伸缩的正向和反向特性而制成的。两片压电陶瓷紧密牢固地结合在一起，将原边交变电压加于一片压电陶瓷的水平轴线，这片压电陶瓷将产生垂直方向的机械振动而使另一片牢固结合的压电陶瓷跟着一起作垂直振动，此时将在其水平轴线方向产生电压次级输出电压。目前这种变压器功率还不大，适用于电压较高而电流较小的应用场合，如照明灯具的起辉装置。超容电容器是电容器件近年来的新进展，美国的麦克韦尔公司一直保持着超容电容技术的世界地位。超容电容器采用了独特的金属/碳电极技术和先进的非水电解质，具有极大的电极表面和极小的相对距离。现在已开发生产出多种具有广泛适用范围的超容电容器单元和组件，单元容量小到10F，大到2700F。超容电容器可方便地串联组合成高压组件或并联组合成高能量存储组件。超容电容器组件现已可提供650V的高压高能量应用。
