BSC190N15NS3G
规格信息：
规格信息：
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:是
商标:Infineon Technologies
Id-连续漏极电流:50 A
Vds-漏源极击穿电压:150 V
Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-栅极电荷:23 nC
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:125 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TDSON-8
封装:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:6 ns
正向跨导 - 小值:57 S, 29 S
小工作温度:- 55 C
上升时间:53 ns
系列:OptiMOS 3
工厂包装数量:5000
商标名:OptiMOS
典型关闭延迟时间:25 ns
典型接通延迟时间:15 ns
零件号别名:BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GXT SP000416636
