CSD17308Q3
规格信息：
制造商:Texas Instruments
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:VSON-Clip-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:50 A
Rds On-漏源导通电阻:10.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV
Vgs - 栅极-源极电压:8 V
Qg-栅极电荷:3.9 nC
小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:28 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:NexFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1 mm
长度:3.3 mm
系列:CSD17308Q3
晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET
宽度:3.3 mm
商标:Texas Instruments
开发套件:BQ500211AEVM-210
下降时间:2.3 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:5.7 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:9.9 ns
典型接通延迟时间:4.5 ns
单位重量:41 mg
特性
1• 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS
• 无卤素
• VSON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
2 应用
• 笔记本电脑负载点
• 网络、电信和计算系统的负载点同步降压
3 说明 此 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于降低功率转换 应用 中的损耗并针对 5V 栅极驱动器 应用进行了优化。
