IPD90N04S4L-04
规格信息：
规格信息：
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:90 A
Rds On-漏源导通电阻:3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V, 16 V
Qg-栅极电荷:60 nC
小工作温度:- 55 C
工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:71 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
商标名:OptiMOS
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:2.3 mm
长度:6.5 mm
系列:OptiMOS-T2
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:6.22 mm
商标:Infineon Technologies
下降时间:28 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:11 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:22 ns
典型接通延迟时间:7 ns
零件号别名:IPD90N04S4L04ATMA1 IPD9N4S4L4XT SP000646188
单位重量:4 g
