IPP65R190CFD
规格信息：
规格信息：
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:17.5 A
Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:68 nC
Pd-功率耗散:151 W
配置:Single
商标名:CoolMOS
封装:Tube
高度:15.65 mm
长度:10 mm
系列:CoolMOS CFD2
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:4.4 mm
商标:Infineon Technologies
下降时间:6.4 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8.4 ns
工厂包装数量:500
子类别:MOSFETs
零件号别名:IPP65R190CFDXKSA1 IPP65R19CFDXK SP000881160
单位重量:6 g
