IRFB7430PBF
规格信息：
规格信息：
封装/外壳：TO220
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：19（Tc）
驱动电压（ Rds On，小 Rds On）：6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：1.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：460nC @ 10V
Vgs（值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：14240pF @ 25V
功率耗散（值）：375W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
系列：HEXFET®，StrongIRFET™
FET类型：N 沟道
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：19（Tc）
驱动电压（RdsOn，小RdsOn）：6V，10V
不同Id时的Vgs（th）（值）：3.9V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（值）：460nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（值）：14240pF @ 25V
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（值）：1.3 毫欧 @ 100A，10V
封装形式Package：TO-220AB
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：40V
连续漏极电流ID：409A
供应商器件封装：TO-220AB
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
