IRFL4315TRPBF
规格信息：
规格信息：
封装/外壳：SOT223
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.6A（Ta）
驱动电压（ Rds On，小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：19nC @ 10V
Vgs（值）：±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：420pF @ 25V
功率耗散（值）：2.8W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：185 毫欧 @ 1.6A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
系列：HEXFET®
FET类型：N 沟道
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.6A（Ta）
驱动电压（RdsOn，小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（值）：5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（值）：19nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（值）：420pF @ 25V
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（值）：185 毫欧 @ 1.6A，10V
封装形式Package：SOT-223
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：150V
连续漏极电流ID：2.6A
供应商器件封装：SOT-223
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（）@ Vgs：10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（） @ Vds：25V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
