MJD32CT4G
规格信息：
制造商:ON Semiconductor
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:是
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
晶体管极性:PNP
配置:Single
集电极—发射极电压 VCEO:100 V
集电极—基极电压 VCBO:100 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—射极饱和电压:1.2 V
直流电集电极电流:3 A
增益带宽产品fT:3 MHz
小工作温度:- 65 C
工作温度:+ 150 C
系列:MJD32C
高度:2.38 mm
长度:6.73 mm
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
宽度:6.22 mm
商标:ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流:3 A
直流集电极/base Gain hfe Min:25
Pd-功率耗散:1.56 W
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:2500
子类别:Transistors
单位重量:1 g
