规格信息:
封装/外壳:PG-TO220-3
RoHS:Y
技术:Si
安装风格:ThroughHole
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:800V
Id-连续漏极电流:17A
Rds On-漏源导通电阻:290mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2.1V
Vgs - 栅极-源极电压:10V
Qg-栅极电荷:88nC
小工作温度:-55C
工作温度:+150C
配置:Single
Pd-功率耗散:227W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:15.65mm
长度:10mm
系列:CoolMOSC3
晶体管类型:1N-Channel
宽度:4.4mm
下降时间:12ns
MXHTS:85412999
上升时间:15ns
典型关闭延迟时间:72ns
典型接通延迟时间:25ns
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc)
驱动电压( Rds On,小 Rds On):10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值):3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值):177nC @ 10V
Vgs(值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值):2320pF @ 25V
功率耗散(值):208W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值):290 毫欧 @ 11A,10V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:PG-TO220-3-1
商标名:CoolMOS
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs