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半导体芯片IV测试仪器

产品单价32000.00元/台

产品品牌普赛斯仪表

最小起订≥1 台

供货总量10000 台

发货期限自买家付款之日起 3 天内发货

联系QQ1993323884

联系电话027-87993690

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公司信息

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武汉普赛斯仪表有限公司

联 系  人:周鹏(先生) 市场专员 

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产品信息

基本参数

品牌:

普赛斯仪表

所在地:

湖北 武汉市 江夏区

起订:

≥1 台

供货总量:

10000 台

有效期至:

长期有效

测试范围:

0.3mV-300V/100pA-1A

测试精度:

0.1%

工作环境:

25±10℃
详细说明

半导体芯片IV测试仪器认准生产厂家武汉普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源光伏风电轨交变频器等场景


源表特点:

多功能:可作源和负载,又能测;

率:满足多种测试需求;

可编程控制:高精度可调,灵活控制;

IV扫描:快速、直观显示,一步操作。

 

应用领域:

分立半导体器件特性测试,电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC、GaN等器件;

能量与效率特性测试,LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等

传感器特性测试,电阻率、霍尔效应等

有机材料特性测试,电子墨水、印刷电子技术等

纳米材料特性测试,石墨烯、纳米线等

 

测试功能:

微电路

1

晶圆

L-IV测试,输入曲线、输出曲线

2

芯片

L-IV测试,输入曲线、输出曲线

器件

1

二极管

正向导通电压、正向电流、反向击穿电压、反向漏电流

2

三极管

L-IV测试,输入曲线、输出曲线

3

MOSFET

L-IV测试,输入曲线、输出曲线

4

IGBT

L-IV测试,输出曲线、转移曲线

5

晶闸管

正向电压电流曲线、反向电压电流曲线、触发特性

电池

1

锂电池

IV测试,充放电扫描曲线

2

光伏电池

IV测试,放电扫描曲线

材料

1

石墨烯

IV测试、输入曲线、输出曲线

2

纳米线

IV测试、输入曲线、输出曲线

    

S系列源表特点:

  1. 5寸800*480触摸显示屏,全图形化操作

  2. 内置强大的功能软件,加速用户完成测试,如LIV、PIV

  3. 源及测量的准确度为0.1%,分辨率5位半

  4. 四象限工作(源和肼),源及测量范围:高至300V,低至10pA

  5. 丰富的扫描模式,支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描

  6. 支持USB存储,一键导出测试报告

  7. 支持多种通讯方式,RS-232、GPIB及以太网


应用优势:

1 多功能测量需求下的广泛的适应性,电压高300V,电流低至100pA

2 实现“源”的输出和“表”的测量同步进行,提高测试效率。

3 具备对测试器件的保护功能,可进行自我限制,避免因过充而造成的对测试器件的损害;

精确的电压电流限制功能,为器件提供完善的保护功能,避免器件损坏。

4 触屏图形化操作,使用简单。开放式平台,可根据实际应用的需求而针对性的开发软件。


国产优势

1、自主研发,符合大环境下国内技术自给的需求;

2、性价比高;

3及时与客户沟通,为客户提供高性价比系统解决方案。及时指导客户编程,速测试系统开发。


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