IKW75N60T
600 V IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装
英飞凌的 600 V、75 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT3，采用在 TO-247中封装得全额定续流二极管，由于结合了沟槽单元和场终止概念，显著提高了静态和动态性能。IGBT和软恢复发射极控制二极管的结合进一步降低了开通损耗。由于开关和传导损耗之间实现了折中方案，因此达到了较率。
特征描述
- 更低的传导损耗实现较低的 VCEsat 压降
- 低开关损耗
- 由于 VCEsat 中的正温度系数，因此易于进行平行开关
- 非常软且快速恢复的反平行发射极控制二极管
- 具有高鲁棒性、温度稳定的行为
- 低电磁干扰辐射
- 低栅极电荷
- 非常严格的参数分配
优势
- 率 - 低传导和开关损耗
- 600 V 和 1200 V 的全面产品组合可实现设计灵活性
- 设备可靠性高
